英特尔周三声称，计划升级其在中国的工厂，以实现全球多元化供应战略。一笔额度最高或达55亿美元的投资将用于其在大连工厂的升级，后者将转向“非易失性存储器”（NVM）制造。
英特尔官方网站显示，大连芯片厂是英特尔在亚洲设立的第一座芯片厂。工厂于2010 年10月正式投产，采用300毫米硅晶圆和英特尔65纳米制程工艺生产电脑芯片组产品。
关于此次升级，英特尔方面称，大连工厂将“成为英特尔在NVM制造网络中使用300毫米圆晶中目前最先进技术的生产中心之一”。
相关消息称，大连工厂将从2016年下半年开始生产3D NAND闪存芯片。此前，该类芯片一直由英特尔与美光合资的IM Flash代工。英特尔负责该业务的副总裁罗伯·克鲁克在博客中表示，英特尔希望拥有额外提供闪存芯片的渠道。
英特尔方面拒绝进一步披露投资的具体支出。不过，去年底英特尔曾对外宣布一项长期战略投资计划，期望帮助英特尔加强在所有计算和通信细分市场的业务战略。随后，其曾宣布在未来15年投资16亿美元用于成都工厂的升级，引入“高端测试技术”。
这一系列转变或与政策导向有关。第三方咨询机构芯谋研究报告显示，英特尔和国内相关部门以及多个重量级企业都有过接触，最终做出转产的决定是因为国家大力发展存储器的大背景。
周二大连地方媒体报道称，辽宁省和大连市的政府官员与英特尔副总裁兼中国总裁
另有业内人士告诉腾讯科技，受制于1996年由美国主导的《瓦森纳协定》的制约，此次产业升级并非英特尔所称的最新技术。
《瓦森纳协定》曾迫使美国芯片技术输入中国保持两代以上的优势。也就是说，英特尔在中国投产的芯片制造工艺需要落后美国本土。此前有媒体报道称，英特尔在大连工厂之所以可以用65纳米工艺制程代替90纳米，是因为摩尔定律的推动，使得英特尔核心的工艺制程技术已经可以达到32纳米。
不过，英特尔方面对此予以否认。英特尔中国公关负责人告诉腾讯科技，其在中国一直以来都投入了最新的技术。
